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Pronto tu PC podrá tener 512 GB de RAM con los nuevos chips DDR5 de Samsung
Juan Antonio Pascual Estapé
28/03/2021 – 17:23
Samsung ha presentado nuevos bancos de memoria DDR5 de 512 GB, que son el doble de rápidos que los actuales bloques DDR4 que podemos instalar en nuestros PCs.
A medida que la resolución 4K se va estandarizando, y cada vez se usa más la inteligencia artificial y el procesado en la nube, nuestros dispositivos exigen más capacidad de memoria.
Un PC moderno tiene una media de 16 GB de RAM, y un móvil alcanza los 4 u 8 GB de RAM con facilidad. Samsung ya está a otro nivel al presentar sus nuevos bancos de memoria DDR5 de 512 GB. Eso son 32 veces más memoria RAM que los ordenadores medios actuales…
Eso sí, de momento no están pensados para ser instalados en ordenadores domésticos, sino en servidores de centros de datos. Pero como ha ocurrido en otras ocasiones, todo el hardware de servidores acaba llegando al mercado doméstico en poco tiempo. Aquí puedes ver cómo son estos nuevos bancos de memoria:
Samsung
Los ordenadores actuales emplean memoria DDR4. Pero Samsung, líder de este sector, ya lleva tiempo trabajando en la nueva memoria DDR5, el doble de rápida. Estos nuevos bancos de 512 GB funcionan a nada menos que 7200 Mbps.
¿Cómo ha conseguido acumular tanta memoria tan rápida en tan poco espacio? Hay que tener en cuenta que los PCs y móviles son cada vez más finos y ligeros, y el espacio para los chips de memoria es cada vez más reducido. Pero aquí hablamos de multiplicar por 32 o 64 la cantidad de memoria actual…
Tal como la propia Samsung explica en su nota de prensa, los chips DDR4 actuales tienen capas de aislamiento que, como cada vez son más finas, generan fugas de corriente. Lo que ha hecho Samsung es fabricar capas de aislamiento con un nuevo material llamado HKMG, que se usa en semiconductores lógicos, y también en la memoria gráfica GDDR6 de las tarjetas gráficas y las consolas.
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El SSD externo Samsung T5 llega como un dispositivo de tamaño compacto con grandes tasas de transferencia desde puertos USB-C hasta 3.1 Gen 2. Promete transferencias de hasta 540 MB/s en capacidades que pueden llegar hasta 2 TB
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Esta nueva tecnología HKMG reduce las fugas de corriente, por eso la memoria puede funcionar a mayor velocidad. Y además consume un 13% menos.
Con esta técnica la compañía coreana ha conseguido apilar 8 capas de chips de memoria DDR5 con 16 GB cada uno, para obtener bancos de memoria de hasta 512 GB.
Samsung ha trabajado con Intel para compatibilizar esta RAM con los nuevos procesadores Intel Xeon, de nombre en clave Sapphire Rapids.
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En principio esta memoria DDR5 de 512 GB está pensada para usarse en ordenadores de los centros de datos y empresas especializadas, con aplicaciones en tareas de inteligencia artificial y aprendizaje de máquina, análisis de datos, superordenadores, etc.
No esperes verla a corto plazo en los PCs domésticos, pero seguro que nos llega alguna versión recordada con 32, 64 o 128 GB…